MMBT4401

MMBT4401
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
39 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.26 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 195 руб.
Номенклатурный номер: 8004232652
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 310mW
Transistor Type NPN
Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.75 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.6 A
DC Current Gain HFE Max 300
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 250 MHz
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series MMBT4401
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 257 КБ
Datasheet MMBT4401-7-F
pdf, 252 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов