2SC5706-E

2SC5706-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 5-6 дней
1 590 руб.
от 2 шт.1 470 руб.
от 3 шт.1 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 590 руб.
Номенклатурный номер: 8004298612
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V, TO-251-4; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:400MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.16 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 5 A
DC Current Gain hFE Max 560
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 500
Gain Bandwidth Product fT 400 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 7.5 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-251-3
Packaging Bulk
Pd - Power Dissipation 15 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 2SC5706
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.139332 oz
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
PCB changed 3
Package Height 5.5
Mounting Through Hole
Lead Shape Through Hole
Tab Tab
Package Width 2.3
Package Length 6.5
Type NPN
Material Si
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Current (A) 1.2
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@100mA@2A
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.135@50mA@1A|0.24@100mA@2A
Maximum DC Collector Current (A) 5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 1000
Minimum DC Current Gain 200@500mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 800
Maximum Transition Frequency (MHz) 400(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Automotive No
Supplier Package IPAK
Pin Count 3
Standard Package Name TO-251
Military No
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet
pdf, 433 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.