IRF1404S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
830 руб.
от 2 шт. —
750 руб.
от 10 шт. —
688 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 830 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 162A TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:162A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 26 ns |
| Forward Transconductance - Min | 106 S |
| Height | 4.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 162 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 160 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 mOhms |
| Rise Time | 140 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Width | 9.25 mm |
| Вес, г | 1.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 274 КБ
Документация
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
