BC850CE6327HTSA1, Bipolar Transistors - BJT NPN 30 V 100 mA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

от 10 шт. — 76 руб.

от 100 шт. — 41 руб.

от 1000 шт. — 19.64 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Номенклатурный номер: 8004635269

Артикул: BC850CE6327HTSA1

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30 V 100 mA

Pd - рассеивание мощности	330 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BC 850C E6327 SP000010563
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	250 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC850
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.008

pdf, 874 КБ

Мы рекомендуем