SMBT 2222A E6327, Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A

SMBT 2222A E6327, Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
99 руб.
от 10 шт.74 руб.
от 100 шт.40 руб.
от 1000 шт.19.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 99 руб.
Номенклатурный номер: 8004635645
Артикул: SMBT 2222A E6327

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 330 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327XT SP000011176
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 600 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SMBT2222
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 531 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов