SMBT 2222A E6327, Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
99 руб.
от 10 шт. —
74 руб.
от 100 шт. —
40 руб.
от 1000 шт. —
19.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 99 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327XT SP000011176 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SMBT2222 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов