MJ15024G, Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN

Фото 1/9 MJ15024G, Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 140 руб.
от 10 шт.1 750 руб.
от 50 шт.1 480 руб.
от 100 шт.1 358.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 140 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 8004651792
Артикул: MJ15024G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор NPN, биполярный, 250В, 16А, 250Вт, TO3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.4 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 16 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 15
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 100
Gain Bandwidth Product fT: 4 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 16 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-204-2
Packaging: Tray
Pd - Power Dissipation: 250 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
REACH - SVHC: Details
Series: MJ15024
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage Max 250В
Continuous Collector Current 16А
DC Усиление Тока hFE 15hFE
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 200 C
Монтаж транзистора Through Hole
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-3
Частота Перехода ft 4МГц
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 15
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 100
Gain Bandwidth Product fT 4 MHz
Height 8.51 mm(Max)
Length 39.37 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 16 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-204-2
Packaging Tray
Pd - Power Dissipation 250 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series MJ15024
Transistor Polarity NPN
Width 26.67 mm(Max)
Maximum Collector Base Voltage 400 V
Maximum Collector Emitter Voltage 250 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 4 MHz
Maximum Power Dissipation 250 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-204
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 163 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов