VN2460N3-G-P014, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 25 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
334 руб.
от 2000 шт. —
290.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 160 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 20 ns |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.21 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 4.19 mm |
Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 553 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов