VN2460N3-G-P014, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN2460N3-G-P014, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
500 руб.
от 25 шт.380 руб.
от 100 шт.334 руб.
от 2000 шт.290.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8004716282
Артикул: VN2460N3-G-P014

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 160 mA
Pd - рассеивание мощности 1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 10 ns
Время спада 20 ns
Высота 5.33 mm
Длина 5.21 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 2000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 25 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Microchip Technology
Упаковка Ammo Pack
Упаковка / блок TO-92-3
Ширина 4.19 mm
Вес, г 0.4536

Техническая документация

Datasheet
pdf, 553 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов