BC847CW-G, Bipolar Transistors - BJT 50V, .1A

BC847CW-G, Bipolar Transistors - BJT 50V, .1A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.98 руб.
от 100 шт.49 руб.
от 500 шт.31.78 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8004725079
Артикул: BC847CW-G
Страна происхождения: ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
Бренд / Производитель: Comchip Technology

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Comchip Technology
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 420 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max: 800 at 2 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Comchip Technology
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-323-3
Packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC847
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 143 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов