2N7002KDW_R1_00001, MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28498 шт., срок 7-9 недель
75 руб.
от 10 шт. —
51 руб.
от 100 шт. —
31 руб.
от 1000 шт. —
13.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Panjit |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 800 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
Series: | NFET-035TS |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Manufacturer | PANJIT |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002KDW_R1_00001
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.