2STF2550, Bipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor

Фото 1/2 2STF2550, Bipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10440 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.81 руб.
от 500 шт.60.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004824862
Артикул: 2STF2550
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 390 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-89-3
Pd - Power Dissipation: 1.4 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: 2STF2550
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Flat
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@300mA@3A
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.55@300mA@3A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum DC Collector Current (A) 5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1400
Minimum DC Current Gain 110@2A@2V|80@3A@2V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-89
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type PNP
Вес, г 0.13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet
pdf, 176 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.