2STF2550, Bipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10440 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
81 руб.
от 500 шт. —
60.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 390 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -5 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current: | 5 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | 2STF2550 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Flat |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@300mA@3A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.55@300mA@3A |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
Minimum DC Current Gain | 110@2A@2V|80@3A@2V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-89 |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Type | PNP |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.