STP42N65M5, MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp

Фото 1/4 STP42N65M5, MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
440 шт., срок 7-9 недель
2 460 руб.
от 10 шт.2 320 руб.
от 25 шт.1 920 руб.
от 100 шт.1 683.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 460 руб.
Номенклатурный номер: 8004830187
Артикул: STP42N65M5
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 20,8А, 190Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 13 ns
Id - Continuous Drain Current: 33 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 190 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 98 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 70 mOhms
Rise Time: 24 ns
Series: Mdmesh M5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: Power MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns
Typical Turn-On Delay Time: 61 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 33A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4650pF @ 100V
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 16.5A, 10V
Series MDmeshв(ў V
Standard Package 50
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 33 A
Maximum Drain Source Resistance 79 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 190 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 100 nC @ 10 V
Width 4.6mm
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1095 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 972 КБ
Datasheet STW42N65M5
pdf, 1095 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.