BD438S, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 144 руб.

от 500 шт. — 114.56 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Номенклатурный номер: 8004832881

Артикул: BD438S

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO:	45 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	200 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	30
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	3 MHz
Manufacturer:	onsemi
Maximum DC Collector Current:	4 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-126-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	36 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BD438
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	4А
DC Current Gain hFE Min	30hFE
DC Усиление Тока hFE	30hFE
Power Dissipation	36Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	TO-126
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	3МГц
Вес, г	0.76