FSB560

FSB560
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.140 руб.
от 100 шт.97 руб.
от 500 шт.72.29 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8004834801
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Low Saturation

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.92 mm
Другие названия товара № FSB560_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 350 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 75 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FSB560
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SuperSOT-3
Ширина 1.4 mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet FSB560
pdf, 408 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов