ZXT13N50DE6TA, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
82 руб.
от 500 шт. —
70.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Low Sat
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.3 mm |
Длина | 3.1 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 145 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7.5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | ZXT13N50 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-6 |
Ширина | 1.8 mm |
Base Product Number | ZXT13N50D -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 115MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-23-6 |
Power - Max | 1.1W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-26 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 400mA, 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 7.5 V |
Maximum Operating Frequency | 115 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.0065 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 798 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 422 КБ
Datasheet ZXT13N50DE6TA
pdf, 795 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов