MJ2955 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 70Vcer 60Vceo 15A 115W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
326 шт., срок 7-9 недель
870 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
481 руб.
от 260 шт. —
442.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 15 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 20 |
DC Current Gain hFE Max: | 70 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 20 |
Gain Bandwidth Product fT: | 2.5 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 15 A |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 115 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 11.7 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.