DPLS350E-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW -50Vceo
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
55 руб.
от 1000 шт. —
35.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DPLS350 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet DPLS350E-13
pdf, 134 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов