2SA1576AT106S, Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A SOT-323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
179 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
от 10 шт. —
97 руб.
от 100 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.15A SOT-323
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SA1576A |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.25 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4493 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.