2SAR340PT100P, Bipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3

Фото 1/2 2SAR340PT100P, Bipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
958 шт., срок 7-9 недель
210 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.120 руб.
от 500 шт.91.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005258901
Артикул: 2SAR340PT100P
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 82 at - 10 mA, - 10 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 270 at - 10 mA, - 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SxR
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SC-62-3
Collector Emitter Voltage Max 400В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 82hFE
Power Dissipation 2Вт
Монтаж транзистора Surface Mount
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet 2SAR340PT100P
pdf, 1702 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.