2SAR340PT100P, Bipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
958 шт., срок 7-9 недель
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
120 руб.
от 500 шт. —
91.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 at - 10 mA, - 10 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at - 10 mA, - 10 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SxR |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-62-3 |
Collector Emitter Voltage Max | 400В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 82hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SAR340PT100P
pdf, 1702 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.