2SC4082T106P, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA SOT-323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
249 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 50MA SOT-323
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 18 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 1.5 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SC4082 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 1.25 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Continuous Collector Current | 50мА |
| DC Current Gain hFE Min | 82hFE |
| DC Ток Коллектора | 50мА |
| DC Усиление Тока hFE | 82hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Корпус РЧ Транзистора | SC-70 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 20В |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 1.5ГГц |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 3 V |
| Maximum Operating Frequency | 1500 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | UMT |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.028 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
