IRF614PBF, MOSFET 250V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

470 руб.

от 10 шт. — 370 руб.

от 100 шт. — 267 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.

Номенклатурный номер: 8005359546

Артикул: IRF614PBF

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 250V N-CH HEXFET

Id - непрерывный ток утечки	2.7 A
Pd - рассеивание мощности	36 W
Qg - заряд затвора	8.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.604

pdf, 276 КБ

Мы рекомендуем