IRFPC50APBF, MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET

Фото 1/4 IRFPC50APBF, MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 130 руб.
от 10 шт.830 руб.
от 25 шт.765 руб.
1 шт. на сумму 1 130 руб.
Плати частями
от 284 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005359693
Артикул: IRFPC50APBF

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 11А, Idm: 44А, 180Вт, TO247AC Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 500
Серия IRFPC
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 11 A
Maximum Drain Source Resistance 580 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 180 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247AC
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 70 nC @ 10 V
Width 5.31mm
Вес, г 38

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 191 КБ
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet IRFPC50APBF
pdf, 204 КБ
Документация
pdf, 218 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов