IRFPC50APBF, MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 130 руб.
от 10 шт. —
830 руб.
от 25 шт. —
765 руб.
1 шт.
на сумму 1 130 руб.
Плати частями
от 284 руб. × 4 платежа
от 284 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 11А, Idm: 44А, 180Вт, TO247AC Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | IRFPC |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 580 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 180 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AC |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Width | 5.31mm |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 191 КБ
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet IRFPC50APBF
pdf, 204 КБ
Документация
pdf, 218 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов