IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 5 шт. —
415 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
ИС драйвера затвора EiceDRIVER ™
ИС драйвера затвора Infineon EiceDRIVER ™ разработаны для полевых МОП-транзисторов, IGBT, SiC-полевых МОП-транзисторов и устройств GaN HEMT. Драйверы затвора EiceDRIVER ™ обеспечивают широкий диапазон типичных вариантов выходного тока от 0,1 А до 10 А. Эти устройства имеют надежные функции защиты привода затвора, такие как быстрая защита от короткого замыкания (DESAT), активный зажим Миллера, защита от сквозного прохода, защита от сбоев, отключения и перегрузки по току. Эти особенности делают эти микросхемы драйверов хорошо подходящими как для кремниевых, так и для широкозонных устройств питания, включая CoolGaN ™ и CoolSiC ™. Вот почему Infineon предлагает более 500 ИС драйверов затвора EiceDRIVER ™, подходящих для любого выключателя питания и любого приложения.
ИС драйвера затвора Infineon EiceDRIVER ™ разработаны для полевых МОП-транзисторов, IGBT, SiC-полевых МОП-транзисторов и устройств GaN HEMT. Драйверы затвора EiceDRIVER ™ обеспечивают широкий диапазон типичных вариантов выходного тока от 0,1 А до 10 А. Эти устройства имеют надежные функции защиты привода затвора, такие как быстрая защита от короткого замыкания (DESAT), активный зажим Миллера, защита от сквозного прохода, защита от сбоев, отключения и перегрузки по току. Эти особенности делают эти микросхемы драйверов хорошо подходящими как для кремниевых, так и для широкозонных устройств питания, включая CoolGaN ™ и CoolSiC ™. Вот почему Infineon предлагает более 500 ИС драйверов затвора EiceDRIVER ™, подходящих для любого выключателя питания и любого приложения.
Технические параметры
Конфигурация | High-Side/Low-Side | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 10…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.7 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 2.2 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1 | |
Тип входа | инвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 200 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 35 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 20 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | SOIC-8(0.154 inch) | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1245 КБ
Datasheet ir2011
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
С этим товаром покупают