6116SA120DB, SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
77 шт. со склада г.Москва, срок 4-8 недель
8 890 руб.
от 10 шт. —
8 280 руб.
от 30 шт. —
8 190 руб.
от 60 шт. —
7 987.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 890 руб.
Описание
SRAM - асинхронная память IC 16Kb (2K x 8) Parallel 120ns 24-CDIP
Технические параметры
| Access Time | 120ns |
| Base Product Number | IDT6116 -> |
| ECCN | 3A001A2C |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 16Kb (2K x 8) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 125В°C (TA) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 24-CDIP (0.600"", 15.24mm) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 24-CDIP |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 120ns |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 191 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
