ALD110900PAL, MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
15 шт., срок 7-9 недель
1 850 руб.
от 10 шт. —
1 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 850 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 8-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | EPADВ®, Zero Thresholdв„ў -> |
| Supplier Device Package | 8-PDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 1ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 104 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
