BSS138W-7-F, MOSFET 50V 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 руб.
от 10 шт. —
35 руб.
от 100 шт. —
19 руб.
от 1000 шт. —
13.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 49 руб.
Посмотреть аналоги11
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 50В, 0,2А, 0,2Вт, SOT323 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BSS138 |
Технология | Si |
Тип | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Small Signal |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3500@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 50(Max)@10V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20(Max) |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20(Max) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Automotive | No |
Standard Package Name | SOT |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-323 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.95 |
Package Length | 2.15 |
Package Width | 1.3 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Base Product Number | BSS138 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 220mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 200mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 220mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | SOT-323 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 1.35mm |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet BSS138W-7-F
pdf, 223 КБ
Datasheet BSS138W-7-F
pdf, 116 КБ
Datasheet BSS138W-7-F
pdf, 212 КБ
Datasheet BSS138W-7-F
pdf, 368 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов