TIP36CG, Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 125W PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 руб.
от 10 шт. —
970 руб.
от 30 шт. —
686 руб.
от 120 шт. —
587.13 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Описание
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications.
Технические параметры
| Base Current | 5A |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc |
| Maximum Collector Cut-off Current | 1mA |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V dc |
| Maximum Continuous Collector Current | 25(Continuous)A, 40(Peak)A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum DC Current Gain | 15 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-93 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Width | 4.9mm |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet TIP35CG
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
