IRF820SPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
390 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
270 руб.
от 500 шт. —
243 руб.
от 1000 шт. —
195.54 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 3 900 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 500V 2.5 Amp
Технические параметры
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRF820 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet IRF820SPBF
pdf, 232 КБ
Datasheet IRF820SPBF
pdf, 180 КБ
