Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF624SPBF

IRF624SPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

650 руб.

от 50 шт. — 450 руб.

от 100 шт. — 367 руб.

от 500 шт. — 289.77 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 650 руб.

Номенклатурный номер: 8005793364

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 250 В, 4,4 А (Tc), 3,1 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK

Технические параметры

Base Product Number	IRF624 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 2.6A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки	4.4 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm