DPLS350E-13

DPLS350E-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.110 руб.
от 100 шт.60 руб.
от 500 шт.51.77 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 280 руб.
Номенклатурный номер: 8005841098
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-223-4
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: DPLS350
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet DPLS350E-13
pdf, 134 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов