IRLZ34PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
от 50 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
337 руб.
от 500 шт. —
266.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 60V 30 Amp
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
Pd - рассеивание мощности | 88 W |
Qg - заряд затвора | 35 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 170 ns |
Время спада | 56 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRLZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
Техническая документация
Datasheet IRLZ34PBF
pdf, 1484 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов