Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › 2ST31A

2ST31A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2297 шт., срок 7-9 недель

320 руб.

от 50 шт. — 230 руб.

от 100 шт. — 175 руб.

от 500 шт. — 138.47 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005902339

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Биполярный (BJT) транзистор NPN 60V 3A 40W Through Hole TO-220AB

Технические параметры

Base Product Number	2ST31 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Current - Collector Cutoff (Max)	300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 20mA, 4V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power - Max	40W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.21.00.95
PCB changed	3
Package Height	9.15(Max)
Mounting	Through Hole
Lead Shape	Through Hole
Tab	Tab
Package Width	4.6(Max)
Package Length	10.4(Max)
Type	NPN
Product Category	Bipolar Power
Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.45@375mA@3A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	1.2@375mA@3A
Maximum DC Collector Current (A)	3
Minimum DC Current Gain	25@1A@4V\|100@20mA@4V
Maximum Power Dissipation (mW)	40000
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Supplier Package	TO-220AB
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Pd - рассеивание мощности	40 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	150
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2ST31A
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	3А
DC Current Gain hFE Min	25hFE
DC Усиление Тока hFE	25hFE
Power Dissipation	40Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
DC Collector/Base Gain hfe Min	150
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	1000
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	Through Hole
Pd - Power Dissipation	40 W
RoHS	Details
Series	500V Transistors
Transistor Polarity	NPN