BD138

Фото 1/5 BD138
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12466 шт., срок 6-8 недель
160 руб.
от 50 шт.120 руб.
от 100 шт.83 руб.
от 500 шт.62.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005906301
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 1,5А, 12Вт, SOT32 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Base Product Number BD138 ->
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Package Tube
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series *
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 10.8 mm
Длина 7.8 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 2000
Серия BD138
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT-32-3
Ширина 2.7 mm
кол-во в упаковке 50
Category Bipolar Power
Collector Current (DC) 1.5(A)
Collector Current (DC) (Max) 1.5 A
Collector-Base Voltage 60(V)
Collector-Emitter Voltage 60(V)
Configuration Single
DC Current Gain 25
DC Current Gain (Min) 25
Emitter-Base Voltage 5(V)
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Power Not Required(W)
Package Type SOT-32
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Power Dissipation 1.25(W)
Rad Hardened No
Transistor Polarity PNP
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage -60 V
Maximum DC Collector Current -1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.25 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP

Техническая документация

BD138
pdf, 54 КБ
Datasheet BD138
pdf, 74 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.