SIHD6N80AE-GE3

SIHD6N80AE-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
240 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8006027487
Производитель: Vishay

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 800 В 5A (Tc) 62,5 Вт (Tc) D-PAK для поверхностного монтажа (TO-252AA)

Технические параметры

Base Product Number SIHD6 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series E ->
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах