2N2219 PBFREE

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

2026 шт., срок 10-12 недель
910 руб.
от 10 шт. —
670 руб.
от 100 шт. —
486 руб.
от 500 шт. —
356.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 910 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006143389
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Central Semiconductor Corp
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30V 800mA 250MHz 800mW Through Hole TO-39
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Power - Max | 800mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-39 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 804 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.