2N2219 PBFREE

Фото 1/2 2N2219 PBFREE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2026 шт., срок 10-12 недель
910 руб.
от 10 шт.670 руб.
от 100 шт.486 руб.
от 500 шт.356.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 910 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006143389
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Central Semiconductor Corp

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30V 800mA 250MHz 800mW Through Hole TO-39

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max 800mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-39
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 804 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах