IPAN60R360PFD7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 50 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
235 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 650V 10A (Tc) 23W (Tc) Through Hole PG-TO220, полный пакет
Технические параметры
Base Product Number | IPAN60 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534pF @ 400V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | CoolMOSв„ўPFD7 -> |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.303Ом |
Power Dissipation | 23Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS PFD7 SJ |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 23Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.303Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Package Type | PG-TO 220 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов