IPAN60R360PFD7SXKSA1

Фото 1/2 IPAN60R360PFD7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
430 руб.
от 50 шт.310 руб.
от 100 шт.235 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 430 руб.
Номенклатурный номер: 8006154007

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 650V 10A (Tc) 23W (Tc) Through Hole PG-TO220, полный пакет

Технические параметры

Base Product Number IPAN60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 534pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.9A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series CoolMOSв„ўPFD7 ->
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 140ВµA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.303Ом
Power Dissipation 23Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции CoolMOS PFD7 SJ
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 10А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 23Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.303Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Maximum Continuous Drain Current 26 A
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Package Type PG-TO 220

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1153 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов