IPAN60R360PFD7SXKSA1
640 руб.
от 10 шт. —
470 руб.
от 100 шт. —
329 руб.
от 500 шт. —
257.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Номенклатурный номер: 8006154007
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 650V 10A (Tc) 23W (Tc) Through Hole PG-TO220, полный пакет
Технические параметры
| Base Product Number | IPAN60 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534pF @ 400V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolMOSв„ўPFD7 -> |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
