BFR 93A E6327, RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

Фото 1/8 BFR 93A E6327, RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт.110 руб.
от 100 шт.68 руб.
от 1000 шт.37.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8006211925
Артикул: BFR 93A E6327

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторы
Описание Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № BFR93AE6327HTSA1 BFR93AE6327XT SP000011066
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 70 at 30 mA at 8 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.09 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 6000 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFR93
Технология Si
Тип RF Bipolar Small Signal
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Тип транзистора Bipolar
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-23
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 20 V
Maximum Collector Emitter Voltage 12 V
Maximum DC Collector Current 90 mA
Maximum Emitter Base Voltage 2 V
Maximum Operating Frequency 6 GHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов