SQP50N06-09L_GE3

SQP50N06-09L_GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 руб.
от 10 шт.510 руб.
от 25 шт.477 руб.
от 100 шт.364.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8006244977
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 136 W
Qg - заряд затвора 72 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 11 ns
Время спада 8 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Серия SQ
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 27 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 1.8

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов