IGP10N60TXKSA1, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

480 руб.

от 10 шт. — 360 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.

Номенклатурный номер: 8006246149

Артикул: IGP10N60TXKSA1

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A

Pd - рассеивание мощности	110 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGP10N60T SP000683042
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	24 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	Trenchstop IGBT3
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.03

pdf, 393 КБ

Мы рекомендуем