BC857C-TP, Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -100mA

BC857C-TP, Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -100mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 руб.
от 10 шт.42 руб.
от 100 шт.18 руб.
от 1000 шт.11.57 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 62 руб.
Посмотреть аналоги14
Номенклатурный номер: 8006392655
Артикул: BC857C-TP

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -50V -100mA

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 310 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC857
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Micro Commercial Components (MCC)
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 310mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet BC857C-TP
pdf, 471 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов