Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › MMBTA92-7-F, Bipolar Transistors - BJT -300V 300mW

MMBTA92-7-F, Bipolar Transistors - BJT -300V 300mW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

52 руб.

от 10 шт. — 32 руб.

от 100 шт. — 14 руб.

от 1000 шт. — 10.44 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 52 руб.

Номенклатурный номер: 8006407409

Артикул: MMBTA92-7-F

Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Описание Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.05 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	50 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMBTA92
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	300V
Maximum DC Collector Current	500mA
Pd - Power Dissipation	300mW
Transistor Type	PNP
Maximum Collector Base Voltage	-300 V
Maximum Collector Emitter Voltage	300 V
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	40
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.008