VBP104FAS, Photodiodes Gullwing 780-1050nm +/-65 deg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
126 руб.
от 500 шт. —
106.60 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Оптоэлектроника\Оптические детекторы и датчики\Фотодиоды
Описание Точечный ИК-фотодиод, 780-1050нм, Монтаж SMD, 65°, 65мВт
Технические параметры
If - прямой ток: | 50 ma |
Pd - рассеивание мощности: | 215 mw |
Vf - прямое напряжение: | 1 v |
Vr - обратное напряжение: | 60 v |
Вид монтажа: | smd/smt |
Время нарастания: | 100 ns |
Время спада: | 100 ns |
Категория продукта: | фотодиоды |
Максимальная рабочая температура: | +100 c |
Минимальная рабочая температура: | -40 c |
Пиковая длина волны: | 950 nm |
Подкатегория: | optical detectors and sensors |
Продукт: | pin photodiodes |
Производитель: | vishay |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Темновой ток: | 2 na |
Тип продукта: | photodiodes |
Тип: | silicon pin photodiode |
Торговая марка: | vishay semiconductors |
Угол половинной интенсивности: | 65 deg |
Фототок: | 35 ua |
Чувствительный к влажности: | yes |
Эквивалентная мощность шума (NEP): | 4e-14 w/sqrt hz |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.40.60.50 |
Package Height | 1.2 |
Mounting | Surface Mount |
PCB changed | 2 |
Package Length | 4.4 |
Package Width | 3.9 |
Type | Chip |
Photodiode Type | PIN |
Photodiode Material | Si |
Polarity | Forward |
Peak Wavelength (nm) | 950 |
Maximum Rise Time (ns) | 100(Typ) |
Maximum Fall Time (ns) | 100(Typ) |
Maximum Light Current (uA) | 35(Typ) |
Maximum Dark Current (nA) | 30 |
Maximum Forward Voltage (V) | 1.3 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 60 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 215 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Packaging | Tape and Reel |
Standard Package Name | SMD |
Pin Count | 2 |
Supplier Package | SMD |
Brand | Vishay Semiconductors |
Dark Current | 2 nA |
Fall Time | 100 ns |
Forward Current | 50 mA |
Half Intensity Angle Degrees | 65 deg |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Dark Current | 30 nA |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Noise Equivalent Power - NEP | 4E-14 W/sqrt Hz |
Peak Wavelength | 950 nm |
Photocurrent | 35 uA |
Power Dissipation | 215 mW |
Product | PIN Photodiodes |
Product Category | Photodiodes |
Reverse Voltage | 60 V |
Rise Time | 100 ns |
RoHS | Details |
Amplifier Function | No |
Diode Material | Si |
Maximum Wavelength Detected | 1050nm |
Minimum Wavelength Detected | 780nm |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Package Type | GW |
Spectrums Detected | Infrared |
Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
Width | 3.9mm |
Вес, г | 0.96 |
Техническая документация
Datasheet VBP104FAS
pdf, 172 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 186 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 154 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 421 КБ
Документация
pdf, 182 КБ