BC32740BU, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,8А, 625мВт, TO92

Фото 1/5 BC32740BU, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,8А, 625мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
39 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 1000 шт.24 руб.
от 5000 шт.17 руб.
от 10000 шт.14.62 руб.
Добавить в корзину 100 шт. на сумму 3 900 руб.
Номенклатурный номер: 8024644646
Артикул: BC32740BU

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,8А, 625мВт, TO92 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 625 mW
Вид монтажа Through Hole
Высота 4.7 mm
Длина 4.7 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 630
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.8 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.8 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия BC327
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-92-3
Ширина 3.93 mm
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage -50 V
Maximum DC Collector Current -800 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 625 mW
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet BC32740BU
pdf, 248 КБ