DPLS4140E-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
89 руб.
от 500 шт. —
67.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 140V 4A 150MHz 1W Surface Mount SOT-223
Технические параметры
Base Product Number | DPLS4140 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 150MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 1W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 360mV @ 300mA, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 6.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 360 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | DPLS4140 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.5 mm |
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.04@300mA@3A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 140 |
Maximum DC Collector Current (A) | 4 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Typ) |
Minimum DC Current Gain | 100@10mA@5V|100@1A@5V|45@3A@5V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Type | PNP |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов