MMBF170-7-F, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, Idm: 0,8А, 0,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5 руб.
от 3000 шт. —
4.27 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, Idm: 0,8А, 0,3Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 500mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 300mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5О© @ 200mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Series: | MMBF170 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
