FDS6699S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
от 5 шт. —
270 руб.
от 10 шт. —
245.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 21А, 2,5Вт, SO8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 38 ns |
| Forward Transconductance - Min | 100 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | FDS6699S_NL |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6 mOhms |
| Rise Time | 12 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDS6699S |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench SyncFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 73 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.115 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
