DTA114EET1G, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 500 шт. —
8.80 руб.
от 3000 шт. —
6.48 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 425 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.75 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 35 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTA114EE |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-75-3 |
Ширина | 0.8 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.95 |
Type | PNP |
Configuration | Single |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
Minimum DC Current Gain | 35@5mA@10V |
Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | SOT |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-416 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.75 |
Package Length | 1.6 |
Package Width | 0.8 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов