IRFR4105ZTRPBF

Фото 2/3 IRFR4105ZTRPBFФото 3/3 IRFR4105ZTRPBF
Фото 1/3 IRFR4105ZTRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
46 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 114 шт.38.20 руб.
от 480 шт.36.30 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 2 300 руб.
Номенклатурный номер: 8007468464
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 30 A
Package Type DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation 48 Вт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Infineon
Серия HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 24,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Typical Gate Charge @ Vgs 18 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 30 A
Pd - рассеивание мощности 48 W
Qg - заряд затвора 27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 40 ns
Время спада 24 ns
Другие названия товара № SP001557018
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 16 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3
Вес, г 0.546

Техническая документация

IRFR4105ZPBF Datasheet
pdf, 330 КБ
Datasheet IRFR4105ZTRPBF
pdf, 331 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.