IRFBE30SPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 руб.

от 3 шт. — 480 руб.

от 10 шт. — 413 руб.

от 50 шт. — 310.32 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007648780

Артикул: IRFBE30SPBF

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, D2PAK Характеристики

Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRFBE
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4.1A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	125W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 2.5A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	1.438