IRFBE30SPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 3 шт. —
390 руб.
от 10 шт. —
339 руб.
от 50 шт. —
270.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Номенклатурный номер: 8007648780
Артикул: IRFBE30SPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-Chan 800V 4.1 Amp
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 78(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 78(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Rise Time (ns) | 33 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 82 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFBE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.1A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В C ~ 150В C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm 2.5A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V 250ВuA |
| Вес, г | 2.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 509 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
