IPP076N12N3GXKSA1

9 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
1 420 руб.
от 2 шт.1 290 руб.
от 5 шт.1 190 руб.
от 9 шт.1 138.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 420 руб.
Номенклатурный номер: 8007710469
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 120V, 100A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:120V; On Resistance Rds(on):0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:188W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:OptiMOS 3 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Automotive Yes
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 100
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 7.6@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 120
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 188000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Pin Count 3
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 76
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 76@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 4990@60V
Вес, г 2.067

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.