IRFBC40ASPBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 9 шт. —
110 руб.
от 17 шт. —
96 руб.
от 34 шт. —
92 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Id - непрерывный ток утечки | 6.2 A | |
Pd - рассеивание мощности | 125 W | |
Qg - заряд затвора | 42 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 4.83 mm | |
Длина | 10.67 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | IRFBC | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-263-3 | |
Ширина | 9.65 mm | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.2 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200 10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 2 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-263 | |
Supplier Package | D2PAK | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 18 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 42(Max) | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 42(Max)10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1036 25V | |
Typical Rise Time (ns) | 23 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.2A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1036pF @ 25V | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
Packaging | Tape & Reel(TR) | |
Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V | |
Series | - | |
Supplier Device Package | D2PAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов